ట్రాన్సిస్టర్లు BJT & MOSFET ఎలక్ట్రానిక్ సెమీకండక్టర్ పరికరాలు, ఇవి చిన్న i / p సిగ్నల్‌లలో చిన్న వ్యత్యాసాల కోసం పెద్ద మారుతున్న విద్యుత్ o / p సిగ్నల్‌ను ఇస్తాయి. ఈ లక్షణం కారణంగా, ఈ ట్రాన్సిస్టర్‌లను స్విచ్ లేదా యాంప్లిఫైయర్‌గా ఉపయోగిస్తారు. మొదటి ట్రాన్సిస్టర్ 1950 సంవత్సరంలో విడుదలైంది మరియు దీనిని 20 వ శతాబ్దపు అత్యంత ముఖ్యమైన ఆవిష్కరణలలో ఒకటిగా పరిగణించవచ్చు. ఇది పరికరాన్ని త్వరగా అభివృద్ధి చేస్తుంది వివిధ రకాల ట్రాన్సిస్టర్లు పరిచయం చేయబడ్డాయి. మొదటి రకం ట్రాన్సిస్టర్ BJT (బైపోలార్ జంక్షన్ ట్రాన్సిస్టర్) మరియు MOSFET (మెటల్ ఆక్సైడ్ సెమీకండక్టర్ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్ ) తరువాత ప్రవేశపెట్టిన మరొక రకం ట్రాన్సిస్టర్. ఈ భావన యొక్క మంచి అవగాహన కోసం, ఇక్కడ ఈ వ్యాసం BJT మరియు MOSFET మధ్య ప్రధాన వ్యత్యాసాన్ని ఇస్తుంది.
బిజెటి అంటే ఏమిటి?
బైపోలార్ జంక్షన్ ట్రాన్సిస్టర్ అనేది ఒక రకమైన సెమీకండక్టర్ పరికరం మరియు పాత రోజుల్లో, ఈ పరికరాలను వాక్యూమ్ గొట్టాల స్థానంలో ఉపయోగిస్తారు. BJT అనేది ప్రస్తుత-నియంత్రిత పరికరం, ఇక్కడ బేస్ టెర్మినల్ లేదా ఉద్గారిణి టెర్మినల్ యొక్క o / p అనేది బేస్ టెర్మినల్‌లోని కరెంట్ యొక్క ఫంక్షన్. ప్రాథమికంగా, BJT ట్రాన్సిస్టర్ యొక్క ఆపరేషన్ బేస్ టెర్మినల్ వద్ద ఉన్న కరెంట్ ద్వారా నిర్ణయించబడుతుంది. ఈ ట్రాన్సిస్టర్‌లో ఉద్గారిణి, బేస్ మరియు కలెక్టర్ అనే మూడు టెర్మినల్స్ ఉంటాయి. వాస్తవానికి, ఒక BJT అనేది మూడు ప్రాంతాలు మరియు రెండు జంక్షన్లను కలిగి ఉన్న సిలికాన్ ముక్క. రెండు ప్రాంతాలకు పి-జంక్షన్ మరియు ఎన్-జంక్షన్ అని పేరు పెట్టారు.
బైపోలార్ జంక్షన్ ట్రాన్సిస్టర్
రెండు రకాల ట్రాన్సిస్టర్లు ఉన్నాయి పిఎన్‌పి మరియు ఎన్‌పిఎన్ . BJT మరియు MOSFET మధ్య ప్రధాన వ్యత్యాసం వారి ఛార్జ్ క్యారియర్లు. పిఎన్‌పి ట్రాన్సిస్టర్‌లో, పి అంటే పాజిటివ్ మరియు మెజారిటీ ఛార్జ్ క్యారియర్లు రంధ్రాలు అయితే ఎన్‌పిఎన్ ట్రాన్సిస్టర్‌లో ఎన్ అంటే నెగటివ్ మరియు మెజారిటీ ఛార్జ్ క్యారియర్లు ఎలక్ట్రాన్లు. ఈ ట్రాన్సిస్టర్‌ల యొక్క ఆపరేటింగ్ సూత్రాలు ఆచరణాత్మకంగా సమానంగా ఉంటాయి మరియు ప్రధాన వ్యత్యాసం పక్షపాతంతో పాటు ప్రతి రకానికి విద్యుత్ సరఫరా యొక్క ధ్రువణత. మారే ప్రయోజనాల వంటి తక్కువ ప్రస్తుత అనువర్తనాలకు BJT లు తగినవి.
బిజెటి చిహ్నం
BJT యొక్క పని సూత్రం
కలెక్టర్ టెర్మినల్ ద్వారా విద్యుత్ ప్రవాహాన్ని నియంత్రించడానికి బేస్ మరియు ఉద్గారిణి వంటి రెండు టెర్మినల్స్ మధ్య వోల్టేజ్ వాడకాన్ని BJT యొక్క పని సూత్రం కలిగి ఉంది. ఉదాహరణకు, ఒక సాధారణ ఉద్గారిణి యొక్క కాన్ఫిగరేషన్ క్రింది చిత్రంలో చూపబడింది.
బైపోలార్ జంక్షన్ ట్రాన్సిస్టర్ వర్కింగ్
వోల్టేజ్ యొక్క మార్పు బేస్ టెర్మినల్‌లో ప్రస్తుత ప్రవేశాన్ని ప్రభావితం చేస్తుంది మరియు ఈ కరెంట్, o / p కరెంట్‌ను ప్రభావితం చేస్తుంది. దీని ద్వారా, ఇన్పుట్ కరెంట్ o / p కరెంట్ ప్రవాహాన్ని నియంత్రిస్తుందని చూపబడింది. కాబట్టి ఈ ట్రాన్సిస్టర్ ప్రస్తుత నియంత్రిత పరికరం. మేజర్ గురించి మరింత తెలుసుకోవడానికి దయచేసి క్రింది లింక్‌ను అనుసరించండి BJT మరియు FET మధ్య వ్యత్యాసం .
MOSFET అంటే ఏమిటి
MOSFET అనేది ఒక రకమైన FET (ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్), దీనిలో గేట్, సోర్స్ మరియు డ్రెయిన్ అనే మూడు టెర్మినల్స్ ఉంటాయి. ఇక్కడ, కాలువ ప్రవాహం గేట్ టెర్మినల్ యొక్క వోల్టేజ్ ద్వారా నియంత్రించబడుతుంది, కాబట్టి, ఈ ట్రాన్సిస్టర్లు వోల్టేజ్-నియంత్రిత పరికరాలు .
MOSFET
ఈ ట్రాన్సిస్టర్లు పి-ఛానల్ లేదా ఎన్-ఛానల్ వంటి 4 రకాలుగా విస్తరణ మోడ్ లేదా క్షీణత మోడ్‌తో లభిస్తాయి. మూలం మరియు కాలువ టెర్మినల్స్ N- ఛానల్ MOSFET ల కొరకు N- రకం సెమీకండక్టర్‌తో మరియు P- ఛానల్ పరికరాలకు సమానంగా తయారు చేయబడతాయి. గేట్ టెర్మినల్ లోహంతో తయారు చేయబడింది మరియు మెటల్ ఆక్సైడ్ ఉపయోగించి సోర్స్ & డ్రెయిన్ టెర్మినల్స్ నుండి వేరుచేయబడుతుంది. ఈ ఇన్సులేషన్ మూలాలు తక్కువ విద్యుత్ వినియోగం & ఇది ఈ ట్రాన్సిస్టర్‌లో ప్రయోజనం. అందువల్ల, ఈ ట్రాన్సిస్టర్ ఉపయోగించబడుతుంది, ఇక్కడ విద్యుత్ వినియోగాన్ని తగ్గించడానికి p మరియు n ఛానల్ MOSFET లను బిల్డింగ్ బ్లాక్‌లుగా ఉపయోగిస్తారు డిజిటల్ CMOS తర్కం .
MOSFET లను మెరుగుదల మోడ్ మరియు క్షీణత మోడ్ వంటి రెండు రకాలుగా వర్గీకరించారు
క్షీణత మోడ్: ‘G’- టెర్మినల్‌లో వోల్టేజ్ తక్కువగా ఉన్నప్పుడు, ఛానెల్ దాని గరిష్ట ప్రవర్తనను చూపుతుంది. ‘G’- టెర్మినల్‌లోని వోల్టేజ్ సానుకూలంగా లేదా ప్రతికూలంగా ఉన్నందున, ఛానెల్ వాహకత తగ్గుతుంది.
వృద్ధి మోడ్: ‘G’- టెర్మినల్‌లో వోల్టేజ్ తక్కువగా ఉన్నప్పుడు, అప్పుడు పరికరం నిర్వహించదు. గేట్ టెర్మినల్‌కు ఎక్కువ వోల్టేజ్ వర్తించినప్పుడు, ఈ పరికరం యొక్క వాహకత మంచిది.
గురించి మరింత తెలుసుకోవడానికి దయచేసి క్రింది లింక్‌ను అనుసరించండి పనితో MOSFET అంటే ఏమిటి?
MOSFET యొక్క పని సూత్రం
MOSFET యొక్క పని MOS (మెటల్ ఆక్సైడ్ కెపాసిటర్) పై ఆధారపడి ఉంటుంది, ఇది MOSFET యొక్క ముఖ్యమైన భాగం. మూలం మరియు కాలువ వంటి రెండు టెర్మినల్స్లో ఆక్సైడ్ పొర బహుకరిస్తుంది. + Ve లేదా -Ve గేట్ వోల్టేజ్‌లను వర్తింపజేయడం ద్వారా, మేము p- రకం నుండి n- రకానికి సెట్ చేయవచ్చు. గేట్ టెర్మినల్‌కు + Ve వోల్టేజ్ వర్తించినప్పుడు, ఆక్సైడ్ పొర కింద ఉన్న రంధ్రాలు వికర్షక శక్తితో మరియు రంధ్రాలు ఉపరితలం ద్వారా క్రిందికి నెట్టబడతాయి. అంగీకరించే అణువులతో అనుబంధించబడిన బౌండ్ -వీ ఛార్జీలచే విక్షేపం ప్రాంతం.
మోస్ఫెట్ బ్లాక్ రేఖాచిత్రం
BJT మరియు MOSFET మధ్య తేడాలు
పట్టిక రూపంలో BJT మరియు MOSFET మధ్య వ్యత్యాసం క్రింద చర్చించబడింది. కాబట్టి BJT మరియు MOSFET మధ్య సారూప్యతలు క్రింద చర్చించబడ్డాయి.
BJT మరియు MOSFET మధ్య వ్యత్యాసం
బిజెటి | MOSFET |
| BJT PNP లేదా NPN | MOSFET అనేది N- రకం లేదా P- రకం |
| BJT ప్రస్తుత నియంత్రిత పరికరం | MOSFET వోల్టేజ్-నియంత్రిత పరికరం |
| BJT యొక్క ఉష్ణోగ్రత గుణకం ప్రతికూలంగా ఉంటుంది | MOSFET యొక్క ఉష్ణోగ్రత గుణకం సానుకూలంగా ఉంటుంది |
| BJT యొక్క ప్రస్తుత ఉత్పత్తిని i / p బేస్ కరెంట్ ద్వారా నియంత్రించవచ్చు. | MOSFET యొక్క ప్రస్తుత ఉత్పత్తిని i / p గేట్ వోల్టేజ్ ద్వారా నియంత్రించవచ్చు. |
| బిజెటి ఖరీదైనది కాదు | MOSFET ఖరీదైనది |
| బిజెటిలో, ఎలెక్ట్రోస్టాటిక్ డిశ్చార్జ్ సమస్య కాదు. | MOSFET లో, ఎలెక్ట్రోస్టాటిక్ డిశ్చార్జ్ ఒక సమస్య, కాబట్టి ఇది సమస్యను కలిగిస్తుంది. |
| ఇది తక్కువ ప్రస్తుత లాభం కలిగి ఉంది & ఇది స్థిరంగా లేదు. కలెక్టర్ కరెంట్ పెరిగిన తర్వాత లాభం తగ్గుతుంది. ఉష్ణోగ్రత పెరిగితే లాభం కూడా పెరుగుతుంది. | ఇది అధిక కరెంట్ లాభం కలిగి ఉంది, ఇది కాలువ ప్రవాహాలను మార్చడానికి దాదాపు స్థిరంగా ఉంటుంది. |
| BJT యొక్క ఇన్పుట్ నిరోధకత తక్కువగా ఉంది. | MOSFET యొక్క ఇన్పుట్ నిరోధకత ఎక్కువగా ఉంది. |
| ఇన్పుట్ కరెంట్ మిల్లియాంప్స్ / మైక్రోయాంప్స్ | ఇన్పుట్ కరెంట్ పికోయాంప్స్ |
| BJT సంతృప్తమైతే తక్కువ వేడి వెదజల్లుతుంది. | MOSFET సంతృప్తమైతే తక్కువ వేడి వెదజల్లుతుంది. |
| బిజెటి మారే వేగం నెమ్మదిగా ఉంటుంది | MOSFET యొక్క మారే వేగం ఎక్కువ |
| ఫ్రీక్వెన్సీ ప్రతిస్పందన నాసిరకం | ఫ్రీక్వెన్సీ ప్రతిస్పందన మంచిది |
| ఇది సంతృప్తమైన తర్వాత, Vce అంతటా సంభావ్య డ్రాప్ 200 mV ఉంటుంది. | ఇది సంతృప్తమైన తర్వాత, మూలం మరియు కాలువ మధ్య సంభావ్య డ్రాప్ 20 mV ఉంటుంది. |
| BJT యొక్క బేస్ కరెంట్ ఇన్పుట్ వోల్టేజ్ యొక్క + 0.7V ఉపయోగించి సరఫరా చేయడం ప్రారంభిస్తుంది. ట్రాన్సిస్టర్‌లను పెద్ద బేస్ ప్రవాహాల ద్వారా ఆపరేట్ చేయవచ్చు | N- ఛానల్ MOSFET లు వాటిని మార్చడానికి + 2v నుండి + 4v వరకు ఉపయోగిస్తాయి మరియు దీని గేట్ కరెంట్ సున్నా గురించి. |
| ఇన్పుట్ ఇంపెడెన్స్ తక్కువ | ఇన్పుట్ ఇంపెడెన్స్ ఎక్కువ |
| BJT యొక్క మారే పౌన frequency పున్యం తక్కువ | MOSFET యొక్క మారే పౌన frequency పున్యం ఎక్కువ |
| ఇది తక్కువ ప్రస్తుత అనువర్తనం కోసం ఉపయోగించబడుతుంది | ఇది అధిక ప్రస్తుత అనువర్తనం కోసం ఉపయోగించబడుతుంది |
BJT మరియు MOSFET మధ్య కీలక తేడాలు
BJT మరియు MOSFET ట్రాన్సిస్టర్‌ల మధ్య ముఖ్యమైన తేడాలు క్రింద చర్చించబడ్డాయి.
- BJT ఒక బైపోలార్ జంక్షన్ ట్రాన్సిస్టర్, అయితే MOSFET ఒక మెటల్ ఆక్సైడ్ సెమీకండక్టర్ ఫీల్డ్-ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్ .
- BJT కి బేస్, ఉద్గారిణి మరియు కలెక్టర్ అనే మూడు టెర్మినల్స్ ఉన్నాయి, అయితే MOSFET కి మూడు టెర్మినల్స్ ఉన్నాయి, అవి సోర్స్, డ్రెయిన్ మరియు గేట్.
- తక్కువ ప్రస్తుత అనువర్తనాల కోసం BJT లు ఉపయోగించబడతాయి, అయితే MOSFET అధికంగా ఉపయోగించబడుతుంది శక్తి అనువర్తనాలు .
- ఈ రోజుల్లో, లో అనలాగ్ మరియు డిజిటల్ సర్క్యూట్లు , MOSFET లు BJTS కంటే ఎక్కువగా ఉపయోగించబడుతున్నాయి.
- BJT యొక్క పని బేస్ టెర్మినల్ వద్ద ఉన్న కరెంట్ మీద ఆధారపడి ఉంటుంది మరియు MOSFET యొక్క పని ఆక్సైడ్ ఇన్సులేటెడ్ గేట్ ఎలక్ట్రోడ్ వద్ద వోల్టేజ్ మీద ఆధారపడి ఉంటుంది.
- BJT ప్రస్తుత నియంత్రిత పరికరం మరియు MOSFET వోల్టేజ్-నియంత్రిత పరికరం.
MOSFET లు చాలా అనువర్తనాలలో BJT ల కంటే ఎక్కువగా ఉపయోగించబడతాయి - MOSFET యొక్క నిర్మాణం BJT కన్నా క్లిష్టంగా ఉంటుంది
ఏది మంచి యాంప్లిఫైయర్ BJT లేదా MOSFET?
BJT మరియు MOSFET రెండింటిలో ప్రత్యేకమైన లక్షణాలు మరియు వాటి స్వంత ప్రయోజనాలు మరియు అప్రయోజనాలు ఉన్నాయి. కానీ, ఈ విషయం చాలా ఆత్మాశ్రయమైనందున BJT & MOSFET లో ఏది మంచిది అని మేము చెప్పలేము. BJT లేదా MOSFET ని ఎన్నుకునే ముందు, శక్తి స్థాయి, సామర్థ్యం, డ్రైవ్ వోల్టేజ్, ధర, మారే వేగం మొదలైనవి వంటి అనేక అంశాలు పరిగణనలోకి తీసుకోవాలి.
సాధారణంగా, విద్యుత్ సరఫరాలో మోస్ఫెట్ మరింత సమర్థవంతంగా ఉపయోగించబడుతుంది ఎందుకంటే బిజెటి కాకుండా మెటల్ ఆక్సైడ్ వాడకం వల్ల మోస్ఫెట్ పని వేగంగా ఉంటుంది. ఇక్కడ, BJT ఎలక్ట్రాన్-హోల్ కలయికపై ఆధారపడి ఉంటుంది.
అధిక పౌన frequency పున్యంలో మారిన తర్వాత మోస్ఫెట్ తక్కువ శక్తితో పనిచేస్తుంది ఎందుకంటే ఇది త్వరగా మారే వేగాన్ని కలిగి ఉంటుంది కాబట్టి ఇది గ్రిడ్-ఆక్సైడ్ నియంత్రిత ఫీల్డ్-ఎఫెక్ట్ ద్వారా దారితీస్తుంది కాని బిజెటి వంటి ఎలక్ట్రాన్ లేదా రంధ్రం యొక్క పున omb సంయోగం ద్వారా కాదు. MOSFET లో, గేట్ కంట్రోల్ వంటి సర్క్యూట్ చాలా సులభం
నిలబడటానికి అనేక కారణాలు ఉన్నాయి
తక్కువ కండక్షన్ నష్టాలు
బైపోలార్ జంక్షన్ ట్రాన్సిస్టర్‌లో 0.7 V వంటి స్థిరమైన సంతృప్త వోల్టేజ్ డ్రాప్ ఉంటుంది, అయితే మోస్ఫెట్ 0.001-ఓం ఆన్-రెసిస్టెన్స్‌ను కలిగి ఉంటుంది, ఇది తక్కువ విద్యుత్ నష్టాలకు దారితీస్తుంది.
అధిక ఇన్పుట్ ఇంపెడెన్స్
బైపోలార్ జంక్షన్ ట్రాన్సిస్టర్ పెద్ద కలెక్టర్ కరెంట్‌ను ఆపరేట్ చేయడానికి తక్కువ బేస్ కరెంట్‌ను ఉపయోగిస్తుంది. మరియు అవి ప్రస్తుత యాంప్లిఫైయర్ లాగా పనిచేస్తాయి. MOSFET వోల్టేజ్-నియంత్రిత పరికరం మరియు ఇది గేట్ కరెంట్‌ను దాదాపుగా కలిగి ఉండదు. గేట్ విలువ కెపాసిటర్ లాగా పనిచేస్తుంది మరియు స్విచ్చింగ్ & హై కరెంట్ యొక్క అనువర్తనాలలో ఇది గణనీయమైన ప్రయోజనం ఎందుకంటే శక్తి BJT ల యొక్క లాభం మీడియం నుండి తక్కువ వరకు ఉంటుంది, దీనికి అధిక ప్రవాహాలను ఉత్పత్తి చేయడానికి అధిక బేస్ ప్రవాహాలు అవసరం.
1/5 వ వంటి BJT తో పోలిస్తే MOSFET ఆక్రమించిన ప్రాంతం తక్కువ. మోస్‌ఫెట్‌తో పోలిస్తే బిజెటి ఆపరేషన్ అంత సులభం కాదు. కాబట్టి FET ను చాలా తేలికగా డిజైన్ చేయవచ్చు మరియు యాంప్లిఫైయర్లకు బదులుగా నిష్క్రియాత్మక మూలకాల వలె ఉపయోగించవచ్చు.
BJT కన్నా MOSFET ఎందుకు మంచిది?
కింది వాటిలాగే BJT కి బదులుగా MOSFET ను ఉపయోగించడం వల్ల చాలా ప్రయోజనాలు ఉన్నాయి.
BJT తో పోలిస్తే MOSFET చాలా ప్రతిస్పందిస్తుంది ఎందుకంటే MOSFET లో ఎక్కువ చార్జ్ క్యారియర్లు ప్రస్తుతము. కాబట్టి ఈ పరికరం BJT తో పోలిస్తే చాలా త్వరగా యాక్టివేట్ అవుతుంది. అందువల్ల, ఇది ప్రధానంగా SMPS యొక్క శక్తిని మార్చడానికి ఉపయోగించబడుతుంది.
MOSFET భారీ మార్పులకు గురికాదు, అయితే, BJT లో, ఉష్ణోగ్రత మార్పులు, ట్రాన్స్మిటర్ యొక్క బేస్ వోల్టేజ్ మరియు ప్రస్తుత లాభం కారణంగా దీని యొక్క కలెక్టర్ కరెంట్ మారుతుంది. అయినప్పటికీ, ఈ విస్తారమైన మార్పు MOSFET లో కనుగొనబడలేదు ఎందుకంటే ఇది మెజారిటీ ఛార్జ్ క్యారియర్.
MOSFET యొక్క ఇన్పుట్ ఇంపెడెన్స్ మెగోహ్మ్స్ పరిధి వలె చాలా ఎక్కువగా ఉంటుంది, అయితే BJT యొక్క ఇన్పుట్ ఇంపెడెన్స్ కిలోహొమ్లలో ఉంటుంది. అందువల్ల, యాంప్లిఫైయర్ ఆధారిత సర్క్యూట్‌లకు మోస్ఫెట్ తయారీ చాలా సరైనది.
BJT లతో పోలిస్తే, MOSFET లకు తక్కువ శబ్దం ఉంటుంది. ఇక్కడ శబ్దాన్ని సిగ్నల్ లోపల యాదృచ్ఛిక చొరబాటుగా నిర్వచించవచ్చు. సిగ్నల్ పెంచడానికి ట్రాన్సిస్టర్ ఉపయోగించిన తర్వాత, ట్రాన్సిస్టర్ యొక్క అంతర్గత ప్రక్రియ ఈ సాధారణ జోక్యంలో కొన్నింటిని ప్రారంభిస్తుంది. సాధారణంగా, BJT లు మోస్‌ఫెట్‌లతో పోలిస్తే సిగ్నల్‌లో భారీ శబ్దాన్ని ప్రవేశపెడతాయి. కాబట్టి సిగ్నల్ లేకపోతే వోల్టేజ్ యాంప్లిఫైయర్లను ప్రాసెస్ చేయడానికి MOSFET లు అనుకూలంగా ఉంటాయి.
BJT లతో పోలిస్తే MOSFET యొక్క పరిమాణం చాలా తక్కువ. కాబట్టి వీటి అమరిక తక్కువ స్థలంలో చేయవచ్చు. ఈ కారణంగా, కంప్యూటర్ & చిప్స్ యొక్క ప్రాసెసర్లలో MOSFET లు ఉపయోగించబడతాయి. కాబట్టి, BJT లతో పోలిస్తే MOSFET ల రూపకల్పన చాలా సులభం.
BJT & FET యొక్క ఉష్ణోగ్రత గుణకం
MOSFET యొక్క ఉష్ణోగ్రత గుణకం ప్రతిఘటనకు సానుకూలంగా ఉంటుంది మరియు ఇది MOSFET యొక్క సమాంతర ఆపరేషన్‌ను చాలా సులభం చేస్తుంది. ప్రధానంగా, ఒక మోస్ఫెట్ విస్తరించిన విద్యుత్తును ప్రసారం చేస్తే, చాలా తేలికగా వేడెక్కుతుంది, దాని నిరోధకతను పెంచుతుంది మరియు ఈ ప్రవాహం ప్రవాహాన్ని సమాంతరంగా ఇతర పరికరాలకు తరలించడానికి కారణమవుతుంది.
BJT యొక్క ఉష్ణోగ్రత గుణకం ప్రతికూలంగా ఉంటుంది, కాబట్టి బైపోలార్ జంక్షన్ ట్రాన్సిస్టర్ యొక్క సమాంతర ప్రక్రియ అంతటా రెసిస్టర్లు అవసరం.
దీని ఉష్ణోగ్రత గుణకం సానుకూలంగా ఉన్నందున MOSFET యొక్క ద్వితీయ విచ్ఛిన్నం జరగదు. అయినప్పటికీ, బైపోలార్ జంక్షన్ ట్రాన్సిస్టర్లు ప్రతికూల ఉష్ణోగ్రత గుణకాన్ని కలిగి ఉంటాయి కాబట్టి ఇది ద్వితీయ విచ్ఛిన్నానికి దారితీస్తుంది.
MOSFET కంటే BJT యొక్క ప్రయోజనాలు
ది MOSFET కంటే BJT యొక్క ప్రయోజనాలు కింది వాటిని చేర్చండి.
- MOSFETS తో పోలిస్తే అధిక లోడ్ పరిస్థితులలో మరియు అధిక పౌన encies పున్యాలతో BJT లు మెరుగ్గా పనిచేస్తాయి
- MOSFET లతో అంచనా వేసినట్లుగా BJT లు సరళ ప్రాంతాలలో అధిక విశ్వసనీయత మరియు మంచి లాభాలను కలిగి ఉంటాయి.
- MOSFETS తో పోలిస్తే, కంట్రోల్ పిన్‌పై తక్కువ కెపాసిటెన్స్ ఉన్నందున BJTS చాలా వేగంగా ఉంటాయి. కానీ MOSFET వేడిని మరింత తట్టుకోగలదు మరియు మంచి రెసిస్టర్‌ను అనుకరించగలదు.
- వోల్టేజ్ మరియు తక్కువ శక్తి అనువర్తనాలకు BJT లు చాలా మంచి ఎంపిక
ది BJT యొక్క ప్రతికూలతలు కింది వాటిని చేర్చండి.
- ఇది రేడియేషన్ ద్వారా ప్రభావితం చేస్తుంది
- ఇది ఎక్కువ శబ్దాన్ని ఉత్పత్తి చేస్తుంది
- ఇది తక్కువ ఉష్ణ స్థిరత్వాన్ని కలిగి ఉంటుంది
- బిజెటి యొక్క బేస్ నియంత్రణ చాలా క్లిష్టమైనది
- మారే పౌన frequency పున్యం తక్కువ & అధిక సంక్లిష్ట నియంత్రణ
- అధిక ప్రత్యామ్నాయ పౌన .పున్యంతో వోల్టేజ్ & కరెంట్‌తో పోలిస్తే BJT యొక్క మారే సమయం తక్కువ.
MOSFET యొక్క ప్రయోజనాలు మరియు అప్రయోజనాలు
ది MOSFET యొక్క ప్రయోజనాలు కింది వాటిని చేర్చండి.
- తక్కువ పరిమాణం
- తయారీ సులభం
- JFET తో పోలిస్తే ఇన్పుట్ ఇంపెడెన్స్ ఎక్కువగా ఉంటుంది
- ఇది హై-స్పీడ్ ఆపరేషన్‌కు మద్దతు ఇస్తుంది
- విద్యుత్ వినియోగం తక్కువగా ఉంటుంది, తద్వారా ప్రాంతం వెలుపల ఉన్న ప్రతి చిప్‌కు ఎక్కువ భాగాలు అనుమతించబడతాయి
- విస్తరణ రకంతో ఉన్న మోస్ఫెట్ డిజిటల్ సర్క్యూట్రీలో ఉపయోగించబడుతుంది
- దీనికి గేట్ డయోడ్ లేదు, కాబట్టి పాజిటివ్ లేకపోతే నెగటివ్ గేట్ వోల్టేజ్ ద్వారా పనిచేయడం సాధ్యమవుతుంది
- ఇది JFET తో పోలిస్తే విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది
- తక్కువ ఛానల్ నిరోధకత ఉన్నందున MOSFET యొక్క కాలువ నిరోధకత ఎక్కువగా ఉంటుంది
ది MOSFET యొక్క ప్రతికూలతలు కింది వాటిని చేర్చండి.
- MOSFET యొక్క ప్రతికూలతలు ఈ క్రింది వాటిని కలిగి ఉంటాయి.
- MOSFET యొక్క జీవితకాలం తక్కువ
- ఖచ్చితమైన మోతాదు కొలత కోసం తరచుగా క్రమాంకనం అవసరం
- ఓవర్‌లోడ్ వోల్టేజ్‌కు ఇవి చాలా హాని కలిగిస్తాయి కాబట్టి సంస్థాపన కారణంగా ప్రత్యేక నిర్వహణ అవసరం
అందువల్ల, ఇది BJT మరియు MOSFET మధ్య వ్యత్యాసం గురించి చెప్పవచ్చు, ఇందులో BJT మరియు MOSFET, పని సూత్రాలు, MOSFET రకాలు , మరియు తేడాలు. ఈ భావనపై మీకు మంచి అవగాహన వచ్చిందని మేము ఆశిస్తున్నాము. ఇంకా, ఈ భావనకు సంబంధించి ఏవైనా సందేహాలు లేదా ఎలక్ట్రికల్ మరియు ఎలక్ట్రానిక్స్ ప్రాజెక్టులు , దయచేసి దిగువ వ్యాఖ్య విభాగంలో వ్యాఖ్యానించడం ద్వారా మీ అభిప్రాయాన్ని తెలియజేయండి. ఇక్కడ మీ కోసం ఒక ప్రశ్న ఉంది, BJT మరియు MOSFET లక్షణాలు ఏమిటి?
